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4H-SiC外延生长技术

4572020/03/20
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基本信息
  • 需求标题 4H-SiC外延生长技术
  • 需求主体 企业用户
  • 行业领域 电子元器件
  • 需求介绍 1、行业共性技术需求：（1）4H-SiC外延缺陷形成机理和抑制技术。 （2）4H-SiC外延缺陷与器件性能之间相关性的问题，不同器件所对应的致命外延缺陷问题。 2、拟与高校、科研院所合作开发。
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