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高性能超薄氮化硅陶瓷基板制备的关键技术

4982018/08/22
基本信息
  • 需求标题 高性能超薄氮化硅陶瓷基板制备的关键技术
  • 需求主体 企业用户
  • 行业领域 先进制造技术
  • 需求介绍 陶瓷基板是大功率电子电路结构技术和互连技术的基础材料。目前陶瓷基板还是以氧化铝基板为主,而氮化硅陶瓷基板具有比氧化铝高得多的导热率(达到80-142W/(M·K),是氧化铝的3到5倍),可作为氧化铝基板的替代材料。我国每年从国外采购集电路高达2000多亿美元,为了摆脱这一困境, 近年来,投资数千亿元设立集成电路生产企业十余个,然而,承载高电荷、大功率的电路基板的生产企业警寥无几。目前国际上多采用氮化铝材质的陶瓷基板,但此类基板极易吸潮或水解,影响集成电路的稳定性。急需开发一种寿命长,成本低,抗热震,同时兼备较高热导率的氮化硅陶瓷基板,为传统的氮化铝陶瓷基板找到替代产品,为我国集成电路行业突破技术封锁,迈讲国际先进行列打下基础。
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